华虹宏力荣获“2017年优秀微控制器制造工艺平台奖”

        7月28日,在《中国电子报》主办的第十届“中国MCU优秀企业评选”中,上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)凭借“0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术平台(0.11um Ultra Low Leakage Dual Gate Platform)”荣获“2017年优秀MCU制造工艺平台奖”,充分印证了其在微控制器(MCU)市场的强大竞争力。
        MCU市场迅速发展,其应用领域也愈发广泛:物联网、可穿戴设备、智能电网、医疗电子设备、智能照明、工业及汽车电子设备等,MCU的功能正不断丰富和提高着。而华虹宏力拥有全球领先的嵌入式非易失性存储器技术,具体包括嵌入式Flash/EEPROM/OTP/MTP等,产品应用覆盖高、中、低端MCU芯片,为MCU设计公司提供了多种方案和选择。
        此次获奖的0.11微米超低功耗双栅型嵌入式闪存技术平台最大特点是可在同一工艺中集成数模混合技术、嵌入式存储技术及低成本的CMOS射频技术,24层光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC(System-on-a-Chip)芯片,具备更小的面积、更低的功耗和更强的可靠性等显著优势,还能降低设计、制造和测试成本。专为物联网打造的0.11微米超低功耗(ULL)嵌入式eFlash及eEEPROM工艺平台拥有丰富多样的嵌入式存储器IP,同时也提供高密度存储器编辑器(Memory Complier)和标准单元库,可为客户度身定制性价比优越、全面灵活的解决方案,加速客户产品上市时间。