华虹宏力荣获“国家金卡工程2017年度金蚂蚁奖”

        近日,上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)的“90纳米低功耗嵌入式闪存工艺”项目荣获“国家金卡工程2017年度金蚂蚁奖-最佳产品配套奖”。这是华虹宏力连续多年获得国家金卡工程建设的最高奖项——金蚂蚁奖,再次印证了华虹宏力在嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺技术上的领先地位。
        此次获奖的90纳米低功耗嵌入式闪存(eFlash)工艺平台由华虹宏力自主研发,是全球最先进的8英寸晶圆制造eFlash技术。该工艺可与标准逻辑工艺完全兼容,并能在同一制程兼容嵌入式电可擦除只读存储器;在确保高性能、低功耗和高可靠性的基础上,提供了极小面积的低功耗闪存IP;具有极高集成度的基本单元库,与0.11微米eFlash工艺相比,门密度提升30%以上。基于这些优点,采用华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台制造的芯片面积更小,与0.11微米工艺相比,单片晶圆上的芯片数量增加30%以上。华虹宏力90纳米低功耗eFlash工艺平台能够为SIM卡、电子秘钥(UKey)、单线协议SWP(Single Wire Protocol)SIM卡、社保卡、交通卡等智能卡产品、安全芯片产品以及微控制器(MCU)产品等,提供高性价比的芯片制造技术解决方案。