1、 参与IP定义和结构设计；
2、 设计开发高性能NVM IP，包括eFlash, EEPROM和OTP等；
3、 利用测试仪器评价IP性能和分析不良；
4、 支持并指导客户设计和IP使用，包含产品实现，测试，可靠性等。

1、 电子工程及相关专业，本科/硕士；
2、 4~7年Memory设计经验，领域包括EEPROM, eFlash,OTP等；
3、 fast-SPICE和混合信号仿真工具经验；
4、 规划Layout布局，指导Layout设计；
5、 理解FG或SONOS工艺技术和器件结构；
6、 掌握分析技巧；
7、 具备团队合作精神，可以领导小规模设计团队。