上海华力微电子有限公司近日成功推出了客制化40纳米高性能工艺40G 0.9V/1.2V/1.8V 。该工艺主要面向通用型高性能处理器的生产制造，填补40纳米高性能制程和28纳米高性能制程之间的空白，对保证客户产品的安全自主可控以及充分发挥其40纳米设计潜力提供解决方案。目前，第一款基于该工艺的通用处理器芯片已成功在华力流片并达到较高的良率水平。

　　40纳米高性能工艺基于华力40纳米低功耗逻辑工艺技术，增加多种应变硅技术提升器件性能，同时支持多种栅氧厚度，开发基于超低介电常数材料的金属互联工艺并支持多达12层铜金属层。该工艺具有良好性能扩展性，采用0.9V核心器件配以1.2V/1.8V IO器件，可选配聚酰亚胺连接层和倒装封装，通过提升器件工作电流，降低金属连线电容，提供较多金属层可供优化连线电阻等手段进一步发挥产品性能。该工艺在标准逻辑工艺基础上，配以少量关键工艺设备，不需要额外增加光罩，具有较有力的成本优势。